Samsung: Serienfertigung von DDR3-Speicher mit 20 nm hat be

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Samsung: Serienfertigung von DDR3-Speicher mit 20 nm hat begonnen
Als erster Chiphersteller hat Samsung die Serienproduktion von DDR3-DRAM mit 20 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zunächst gibt es einen 2-GBit-Chip, Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine folgen. Das verspricht größere und günstigere Speichermodule. (Technologie, Samsung) [img]http://cpx.golem.de/cpx.php?class=17&aid=86612&page=1&ts=1316705760[/img]

Autor: Golem.de
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